[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200510096686.X | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1758373A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 大泽隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/407;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明一种实施方案的半导体存储装置包括：单元阵列，每个具有连接到一对第一和第二位线的多个存储单元；以及读出放大器，每个对应于该对第一和第二位线而提供并读出从待读出存储单元中读出的数据，其中读出放大器的每个包括电流反射镜电路，其具有直接或间接连接到该对第一和第二位线的第一和第二电流通路；以及该电流反射镜电路包括：第一晶体管，其具有彼此短接的栅极和漏极，并且使参考电流在源极和漏极之间流动；以及第二晶体管，其栅极共同地连接到第一晶体管的栅极，并且使经过待读出存储单元的电流在其源极和漏极之间流动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：一对第一和第二位线；具有连接到第一或第二位线的多个存储单元的单元阵列；读出放大器，其对应于一对第一和第二位线而提供并读出从存储单元中读出的数据；其中读出放大器包括电流反射镜电路，其具有直接或间接连接到该对第一和第二位线的第一和第二电流通路；以及电流反射镜电路包括：第一晶体管，其具有彼此短接的栅极和漏极，并且使参考电流在其源极和漏极之间流动；以及第二晶体管，其栅极连接到第一晶体管的栅极，并且使经过待读出存储单元的电流在其源极和漏极之间流动。
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