[发明专利]一种多晶锗硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开的多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层；然后将样品放入超高真空化学气相沉积装置中，500～600℃下，通入纯硅源和以氢气为载气的锗烷，控制生长室压强10～20Pa，在二氧化硅表面形成锗硅晶核；再将生长压强降至0.01～0.1Pa，保持生长参数不变，在锗硅晶核处选择性生长，形成连续的薄膜。采用本发明制备的多晶锗硅薄膜，可以避免一般化学气相沉积薄膜生长时成核与生长交替进行，造成薄膜在生长方向晶体质量不均匀，缺陷较多，载流子迁移率不高的问题。获得在薄膜生长方向上晶体质量均匀的多晶锗硅薄膜，为半导体器件制造提供高质量的多晶锗硅薄膜。

主权项

1.一种多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：1)将硅衬底清洗干净放入热氧化炉中，通入纯氧，于900～1200℃下热氧化一层0.2～0.3μm的二氧化硅层；2)将样品放入超高真空化学气相沉积装置中，500～600℃下，通入纯硅源以及锗烷含量为10％的锗烷与氢气的混和气，控制纯硅源与混和气的流量比为5∶5，生长室内压强为10～20Pa，生长10～15分钟，在二氧化硅表面形成锗硅晶核；3)将生长室内的压强降至0.01～0.1Pa，温度及硅源与混和气的流量比保持不变，在锗硅晶核处选择性生长，形成连续的薄膜。