[发明专利]提高熔丝熔断成功率的方法无效
| 申请号： | 200510097116.2 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1992262A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 林春生 | 申请（专利权）人： | 矽创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 彭焱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高熔丝熔断成功率的方法，针对集成电路上具有一熔丝的电路，设置一逆向二极管，利用该逆向二极管与熔丝串接，使得熔丝熔断的电流路径上，多一个逆向二极管的逆偏压，用以提高熔丝熔断的电流路径上的崩溃电压，使得熔断电流以近乎100％的效率流入熔丝，进而熔断该熔丝。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 熔断 成功率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高熔丝熔断成功率的方法，针对集成电路上具有一熔丝(100)的电路，其特征在于：设置一逆向二极管(RD)与该熔丝(100)串接，所述逆向二极管(RD)用以提高该熔丝(100)熔断的电流路径上的崩溃电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
