[发明专利]生长Φ5英寸钽酸锂单晶的方法无效
| 申请号： | 200510097351.X | 申请日： | 2005-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1818151A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 康平;张振志;周志强;韦大勇;张寒贫;杜小红;陈建;李美荣;张庆海;成肇安 | 申请（专利权）人： | 国内贸易部物资再生利用研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 徐州市三联专利事务所 | 代理人： | 李中华 |
| 地址： | 221000江苏省徐州市黄*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长大尺寸(φ5英寸)钽酸锂单晶的方法，尤其是使用铱坩埚在保护性气氛下来进行大尺寸钽酸锂单晶提拉法(Czochralski)的生长技术。该方法在拉晶过程中用铱坩埚取代了铂坩埚，该方法生长的钽酸锂单晶性能指标如下：直径为φ127mm，长度大于50mm，生长方向为：X112、Y36，质量达到制造声表面波器件对钽酸锂单晶质量的要求，成品率＞75％。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 英寸 钽酸锂单晶 方法 | ||
【主权项】：
1、一种生长5英寸钽酸锂单晶的方法，工艺流程为：LT多晶制备→装炉→抽真空、充保护气→单晶生长→退火、极化→晶体检验→切头尾、滚圆→研磨定向(抛光)→成品单晶，其特征是采用铱坩埚代替传统的铂坩埚作为盛料的容器和发热体，并且使用上浮秤控制单晶的生长，在上浮秤下方还设置了与上浮秤相适应的密封系统，另外还采用了能满足大尺寸钽酸锂单晶生长的热场系统。
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