[发明专利]用于在半导体器件中形成隔离区的方法无效
| 申请号： | 200510097484.7 | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1822346A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 玄祐硕 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在例如光电二极管的半导体器件中形成隔离区的方法，在光电二极管的N型区与注入P型杂质离子的离子注入层之间，以及在光电二极管的N型区与P型半导体的衬底之间的边界处形成耗尽层，以使漏电流最小化，并消除接触面缺陷。采用低温处理以防止衬底中的杂质离子不合需要地扩散，以使半导体器件的针扎效应最大化。该方法包括以下步骤：在衬底中形成沟道区；通过向沟道区的内侧壁注入杂质离子形成离子注入层，其中相对于沟道区的内侧壁的表面倾斜地注入该杂质离子；以及通过用插入离子注入层的不掺杂硅酸盐玻璃膜填充沟道区，来形成半导体器件的隔离区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 形成 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隔离区形成方法，包括：在衬底中形成沟道区；通过向所述沟道区的内侧壁注入杂质离子形成离子注入层；以及通过用插入所述离子注入层的不掺杂硅酸盐玻璃膜填充所述沟道区，来形成半导体器件的隔离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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