[发明专利]半导体器件的金属互连及其形成方法无效
| 申请号： | 200510097493.6 | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1819177A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 金昇炫 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的金属互连及其形成方法，其中，通过氮化层的“自阻止”功能避免过蚀刻和欠蚀刻，以防止铜互连中的断路和孔隙的发生，并获得恒定的沟道深度。该方法包括以下步骤：通过初步退火在半导体衬底上形成氮化膜，半导体衬底具有第一IMD膜和钨插头；在其上形成有氮化膜的半导体衬底上沉积第二IMD膜；在第二IMD膜上沉积光刻胶，并使光刻胶形成图样；利用形成图样的光刻胶蚀刻第二IMD膜，用于形成沟道；利用化学制品去除氮化膜；在从中去除了氮化物膜的沟道中沉积铜阻挡金属膜和铜晶种层，然后沉积铜；将其上沉积有铜的衬底二次退火；以及通过化学机械抛光使已二次退火的衬底平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属 互连 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的金属互连，包括：氮化膜，其通过初步退火形成于半导体衬底上，所述半导体衬底具有第一内金属介电膜和钨插头；第二内金属介电膜，沉积于其上形成有所述氮化膜的所述半导体衬底上；光刻胶，其沉积于所述第二内金属介电膜上，并被形成图样；其中，利用所述形成图样的光刻胶蚀刻所述第二内金属介电膜，用于形成沟道；利用化学制品去除所述氮化膜的预定部分；在从中去除了所述氮化物膜的所述预定部分的沟道中沉积铜阻挡金属膜和铜晶种层，然后沉积铜；将其上沉积有所述铜的所述衬底二次退火；以及通过化学机械抛光使所述已二次退火的衬底平坦化。
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