[发明专利]具有放大的光检测区域的图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200510097523.3 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1822379A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 朴祥均 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;杨红梅 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种具有三维集成结构的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其制造方法。一种图像传感器包括：第一基板结构，在该结构中形成光检测器件；第二基板结构，在该结构中形成外围电路，其中所述第一基板和第二基板通过形成于所述第一基板和第二基板上的多个接合垫而接合，且所述第一基板的背面被翻转；以及微透镜，形成于所述第一基板的背面的顶部上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 放大 检测 区域 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：第一基板结构，在该结构中形成光检测器件；第二基板结构，在该结构中形成外围电路，其中所述第一基板和所述第二基板通过形成于所述第一基板和所述第二基板二者上的多个接合垫而接合，且当接合所述第一基板和所述第二基板时所述第一基板的背面被翻转；以及微透镜，形成于所述第一基板的背面的顶部上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
