[发明专利]发光二极管用外延晶片无效
| 申请号： | 200510097592.4 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1819285A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 小森洋介 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过将液相外延法中所使用的衬底的面内的位错密度最大值设定在适当范围内，提供了价格低且结晶性良好的高质量的外延晶片。在使用晶舟法在GaAs衬底3上液相外延生长的具有叠层结构(单异质结构、双异质结构、双异质结构·除去衬底型中的任一种)的LED用外延晶片中，规定上述GaAs衬底3的面内的位错密度的最大值为5,000～22,000个/cm2的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 二极 管用 外延 晶片 | ||
【主权项】：
1.发光二极管用外延晶片，其特征是，在采用晶舟法在p型GaAs衬底上依次液相外延p型AlGaAs活性层、n型AlGaAs窗口层的具有叠层结构的发光二极管用外延晶片中，规定上述p型GaAs衬底的面内的位错密度的最大值为5,000～22,000个/cm2的范围。
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