[发明专利]具有嵌入的半导体区的半导体器件无效
申请号: | 200510097604.3 | 申请日: | 2005-08-25 |
公开(公告)号: | CN1741280A | 公开(公告)日: | 2006-03-01 |
发明(设计)人: | 井原久典;后藤浩成;田中长孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固态图象传感器,包括:第一导电类型的阱;具有在该阱中形成的并存储从光电转换获取的电荷的第二导电类型的光电转换区;具有在阱中形成的与阱的表面分离的第二导电类型的漏极区;及通过栅极绝缘体在阱的表面上形成的栅电极,该栅电极将电荷从光电转换区传送至漏极区。另选地,一种晶体管,包括:具有第一导电类型的第一半导体区;在第一半导体区中形成的具有第二导电类型的第二和第三半导体区,所述第二和第三半导体区通过用作沟道的一部分第一半导体区相互分隔;设置第一半导体区的表面上在与沟道区接触的绝缘层;设置在绝缘层上的栅电极;且该第一导电类型包括一个设置在第一半导体区与第二和第三半导体区中至少一个之间的屏蔽半导体区,使得第二和第三半导体区中至少一个夹在屏蔽区和第一半导体区之间。 | ||
搜索关键词: | 具有 嵌入 半导体 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种固态图象传感器,其特征在于,包括:第一导电类型的阱;光电转换区,其具有在所述阱中形成的第二导电类型,并将该光电转换区配置成存储从光电转换获取的电荷;漏极区,具有在所述阱中形成的第二导电类型,所述漏极区在阱的深度方向上与阱的表面分离;和栅电极,其通过栅极绝缘体在所述阱的表面上形成的栅电极,该栅电极配置成将电荷从光电转换区传送至漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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