[发明专利]聚亚芳基及其制备方法,以及聚合物固体电解质和质子导电膜有效

专利信息
申请号: 200510097614.7 申请日: 2003-08-22
公开(公告)号: CN1737032A 公开(公告)日: 2006-02-22
发明(设计)人: I·罗占斯奇;高桥昌之;后藤幸平;今野洋助;大月敏敬;山川芳孝;门田敏明 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: C08G61/10 分类号: C08G61/10;H01M8/10
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈剑华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 揭示了通式(1)所示的芳族磺酸酯衍生物;式中,X是选自除氟以外的卤原子、-OSO3CH3和-OSO3CF3的原子或基团,A是二价吸电子基团,B是二价供电子基团或者直接连接,Ra是1-20个碳原子的烃基,Ar是具有由-SO3Rb表示的取代基的芳基(其中,Rb是1-20个碳原子的烃基),m是0-10之间的整数,n是0-10之间的整数,k是1-4的整数。也揭示了用于制备具有磺酸基的聚亚芳基的方法,所述方法包括以下步骤:偶合聚合所述包含通式(1)所示衍生物的芳族化合物,制备聚亚芳基,并水解所述聚亚芳基,且所述方法安全性高,容易控制引入聚合物中的磺酸基的量及其引入的位置。
搜索关键词: 聚亚芳基 及其 制备 方法 以及 聚合物 固体 电解质 质子 导电
【主权项】:
1.一种聚亚芳基,包含来自芳族化合物的重复结构单元,且至少包含由通式(1’)表示的重复结构单元:式中,A是二价吸电子基团、B是二价供电子基团或者直接连接,Ra是1-20个碳原子的烃基,Ar是具有由-SO3Rb表示的取代基的芳基,-SO3Rb中,Rb是1-20个碳原子的烃基,m是0-10之间的整数,n是0-10之间的整数,k是1-4的整数。
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