[发明专利]双极型器件以及增加其中电荷载流子迁移率的方法有效

专利信息
申请号: 200510097828.4 申请日: 2005-08-30
公开(公告)号: CN1763968A 公开(公告)日: 2006-04-26
发明(设计)人: 杜雷塞蒂·齐达姆巴劳;格里高里·G·弗里曼;马尔汉·H·克哈特尔 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L29/72 分类号: H01L29/72;H01L21/331
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张浩
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种增加双极型器件内的电荷载流子迁移率的方法,包括以下步骤:在该器件中产生压缩应变,以增加该器件的固有基极中的空穴迁移率;在该器件中产生拉伸应变,以增加该器件的固有基极中的电子迁移率。通过靠近该器件的固有基极形成应力层来产生该压缩应变和拉伸应变。该应力层临近该器件的发射极结构、至少部分地埋入在该器件的基极层中。该应力层具有与该固有基极不同的晶格常数。另外公开了方法与装置。
搜索关键词: 双极型 器件 以及 增加 其中 电荷 载流子 迁移率 方法
【主权项】:
1.一种双极型器件,包括:集电区;设置在所述集电区顶上的基极层;形成在所述基极层顶上的发射极结构;以及临近所述发射极结构设置的且至少部分地埋入在所述基极层中的应力层。
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