[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 200510097843.9 | 申请日: | 2005-08-30 |
公开(公告)号: | CN1758376A | 公开(公告)日: | 2006-04-12 |
发明(设计)人: | 塚本康正;新居浩二 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413;G11C11/417;G11C11/419 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可降低无用功耗的半导体装置。本发明是一种无刷新动作的半导体装置,包括:呈矩阵状配置的、用于存储数据的存储电路1;用于从所述存储电路中读出所述数据的第1信号线BL、/BL;传送用于对存储电路1与第1信号线BL、/BL的连接进行控制的信号的第2信号线WL;通过检测所述第1信号线BL、/BL上的电位变化或者电流变化,判断并读出数据的读出放大器电路8;和在读出放大器电路8的激活期间,缓和所述第1信号线BL、/BL上的电位变化或者电流变化的缓和装置SW。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种具有无刷新动作的存储部件的半导体装置,其特征在于,包括:呈矩阵状配置的、用于存储数据的存储电路;用于从所述存储电路中读出所述数据的第1信号线;传送用于控制所述存储电路与所述第1信号线的连接的信号的第2信号线;通过检测所述第1信号线上的电位变化或者电流变化,读出并判断数据的读出放大器电路;和在所述读出放大器电路的激活期间,缓和所述第1信号线上的电位变化或者电流变化的缓和装置。
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