[发明专利]光照设备、结晶设备、结晶方法、半导体器件及光调制元件无效
申请号: | 200510097881.4 | 申请日: | 2005-09-02 |
公开(公告)号: | CN1763910A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
发明(设计)人: | 松村正清;谷口幸夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/20;H01L21/477;B23K26/00;G02F1/01 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光照设备,包括具有相位调制区的光调制元件(1),其中相位调制区具有至少一个用于调制光束的基本图案;照射系统(2),其用光束照射光调制元件的相位调制区;以及图像形成光学系统(3),使在照射目标表面上具有光强分布的光束落到照射目标物体(4)上,其中所述光强分布具有基于由所述相位调制元件相位调制的光束而形成的倒峰形图案。所述基本图案的尺寸不大于对光调制元件转换的图像形成光学系统的点扩展函数范围。设计所述相位调制区,使得照射目标表面上光复振幅分布中的相位分布在沿横向某一线段上为锯齿状分布。 | ||
搜索关键词: | 光照 设备 结晶 方法 半导体器件 调制 元件 | ||
【主权项】:
1、一种光照设备,其特征在于包括:光调制元件,其具有至少一个单位相位调制区,其中该单位相位调制区具有至少一个用于调制光束的基本图案;照射系统,其用光束照射该光调制元件的该单位相位调制区;以及图像形成光学系统,其使得在照射目标表面上具有光强分布的光束落在照射目标物体上,其中该光强分布具有基于由所述相位调制元件相位调制的光束而形成的倒峰形图案,其中所述单位相位调制区的基本图案的尺寸不大于对光调制元件转换的图像形成光学系统的点扩展函数范围,并且设计所述单位相位调制区,使得照射目标表面上光复振幅分布中的相位分布为沿某一横向线段的锯齿状分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社液晶先端技术开发中心,未经株式会社液晶先端技术开发中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510097881.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造