[发明专利]磁传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200510097891.8 | 申请日： | 2002-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1740804A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤秀树;大桥俊幸;涌井幸夫;吉田晋;相曾功吉 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;张浴月 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁传感器的制造方法，磁传感器包括包含钉扎层和自由层的磁阻效应元件，磁阻效应元件具有随由钉扎层的磁化方向和自由层的磁化方向形成的相对角度变化的电阻值，该方法包括步骤：准备以下列方式构成的磁铁阵列，即在正方形格的格点处设置多个永久磁铁，每个永久磁铁的磁极的极性与和其相邻并距离最短的其它磁铁磁极的极性不同；设置薄片于磁铁阵列上，在此薄片中，包含磁层的层已经形成；磁层至少将成为钉扎层；利用在一个磁极和与其相邻的并且距离最短的另一个磁极之间形成的磁场，钉扎将成为钉扎层的磁层的磁化方向。使用本方法，可以在单个基片上容易地制造其中钉扎层的磁化方向彼此相交的的磁传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器的制造方法，所述磁传感器包括包含钉扎层和自由层的磁阻效应元件，所述磁阻效应元件具有随由钉扎层的磁化方向和自由层的磁化方向形成的相对角度变化的电阻值，所述方法包括步骤：准备以下列方式构成的磁铁阵列，即在正方形格的格点处设置多个永久磁铁，每个永久磁铁的磁极的极性与和其相邻并距离最短的其它磁铁磁极的极性不同；设置薄片于所述磁铁阵列上，在此薄片中，包含磁层的层已经形成；所述磁层至少将成为所述钉扎层；利用在一个所述磁极和与其相邻的并且距离最短的另一个所述磁极之间形成的磁场，钉扎将成为所述钉扎层的磁层的磁化方向。
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