[发明专利]TFT、有该TFT的电子器件及有该TFT的平板显示器件有效
| 申请号： | 200510098062.1 | 申请日： | 2005-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1728404A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 徐旼彻;具在本;金慧东 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种改进的薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管能在室温下形成且有源层和源电极及漏电极之间的接触电阻得到改善，且还提供一种利用该TFT的平板显示器件。该TFT包括：有源层，该有源层包括至少两层纳米粒子层，所述纳米粒子层包括至少一种纳米粒子类型；插在纳米粒子层之间的绝缘层；与有源层绝缘的栅电极；以及在各自的沟道中形成的源电极及漏电极，源电极及漏电极接触有源层的纳米粒子层之一。该TFT的结构使多个不同类型的TFT的同时生产变得容易。 | ||
| 搜索关键词： | tft 电子器件 平板 显示 器件 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管(TFT)，包括：有源层，其包括至少两层纳米粒子层，每一纳米粒子层包括至少一个纳米粒子；绝缘层，插入在两层纳米粒子层之间；栅电极，与有源层绝缘；源电极和漏电极，与有源层的至少一层纳米粒子层接触。
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