[发明专利]晶片洁净装置的晶片保护系统以及晶片清洗工艺

摘要

本发明披露一种晶片清洗工艺，将经过氧气等离子体灰化处理后的半导体晶片置于清洗溶液浸泡槽，并浸泡在清洗溶液中，其中该半导体晶片经过氧气等离子体灰化处理后的表面上具有待清除的光致抗蚀剂灰化残留物、蚀刻副产物以及暴露出来的金属导线图案；该清洗溶液浸泡槽连接一循环管线，排放控制阀以及液体排放管线；替代溶液可经由控制阀以及液体输送管线注入该清洗溶液浸泡槽；当该半导体晶片浸泡在该清洗溶液的时间超过一预定时间限制，即刻开启该排放控制阀将该清洗溶剂经由该排放控制阀以及该液体排放管线排出该清洗溶液浸泡槽；在该清洗溶液排放完之后，开启该控制阀，将该替代溶液经由控制阀以及液体输送管线注入该清洗溶液浸泡槽。

主权项

1.一种晶片洁净装置，包括：一清洗溶液浸泡槽，内盛一清洗溶液以浸泡晶片；以及一晶片保护系统，与该清洗溶液浸泡槽连接，该晶片保护系统包括：一具有一排放控制阀的液体排放管，以于晶片浸泡一预定时间后将该清洗溶液排出该清洗溶液浸泡槽；以及一具有一替代溶液控制阀的替代溶液输送管，与该液体排放管连接，以将一替代溶液注入至该清洗溶液浸泡槽中取代已排出的该清洗溶液。