[发明专利]具有钨接触物的半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200510098281.X | 申请日： | 2005-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1783454A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 林思宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种具有钨接触物的半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；形成一内连开口于该介电层内；沉积一阻障粘着层于该介电层上与该内连开口内；于一成核温度下形成一钨成核层，以于该阻障粘着层上以及于该内连开口内；以及于低于该成核温度的一主体沉积温度下形成一钨主体层于该钨成核层上，以填满该内连开口并形成该钨接触物。本发明具有钨接触物的半导体装置的制造方法，改善了成核层与主体沉积层间的接触情形，钨主体层较佳地吸附于钨成核层的结晶表面并可促进较小的晶粒成长而形成无孔洞的结构，且增加沟填能力，使元件具有较佳的速度与表现。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接触 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有钨接触物的半导体装置的制造方法，所述具有钨接触物的半导体装置的制造方法包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；形成一内连开口于该介电层内；沉积一阻障粘着层于该介电层上与该内连开口内；于一成核温度下形成一钨成核层，以于该阻障粘着层上以及于该内连开口内；以及于低于该成核温度的一主体沉积温度下形成一钨主体层于该钨成核层上，以填满该内连开口并形成该钨接触物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510098281.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液体加热容器中的加热器附件
- 下一篇：泄油防渣器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
