[发明专利]形成记忆胞及周边电路的方法

摘要

本发明是关于一种形成记忆胞及周边电路的方法，是先提供一基底，此基底具有周边电路区及记忆胞区。然后，在基底上依序形成衬垫层和罩幕层，以便在记忆胞区定义数个通道区，再在周边电路区定义主动区。之后，在主动区间形成场氧化层，并在通道区间的基底中植入杂质，接着在通道区间形成记忆胞间隔离层，且杂质往下趋入形成埋入式扩散区域。接着，去除罩幕层及衬垫层，而后在记忆胞区的基底上形成储电材料层以及字元线。本发明因为先进行记忆胞间隔离层与埋入式扩散区域的制作，再形成储电材料层，所以可提升元件可靠度。

主权项

1、一种形成记忆胞的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底；在该基底上形成一衬垫层；在该衬垫层上形成一罩幕层，以便在该基底中定义多个通道区；在该些通道区间的该基底中植入多个杂质；在该些通道区间的该基底上形成多个记忆胞间隔离层，使该些杂质往下趋入该基底内，形成多条埋入式扩散区域；去除该罩幕层及该衬垫层；在该基底上形成一储电材料层覆盖该基底及该些记忆胞间隔离层；以及在该储电材料层上形成多条字元线。