[发明专利]场发射三极管元件的制造方法

摘要

一种场发射三极管元件的制造方法，其首先于基底上形成阴极导电层、绝缘层及栅极层，并于栅极层及绝缘层中形成开口以暴露部分阴极导电层。然后于阴极导电层上形成金属层，并对金属层进行第一次阳极处理以使部分金属层形成第一阳极处理层。之后移除此第一阳极处理层，再形成第二阳极处理层，其中此第二阳极处理层中形成有多个孔洞。接着于孔洞底部形成催化剂层。最后于孔洞内形成多个纳米碳管。如此，可改善这些纳米碳管的孔径均匀度、分布均匀度及垂直准直度。

主权项

1.一种场发射三极管元件的制造方法，其特征是包括：于基底上依序形成阴极导电层、绝缘层及栅极层；于该栅极层及该绝缘层中形成开口，暴露出部分该阴极导电层；于该阴极导电层上形成金属层；对该金属层进行第一次阳极处理，使部分该金属层形成第一阳极处理层；移除该第一阳极处理层，暴露出未被阳极处理的该金属层；对未被阳极处理的该金属层进行第二次阳极处理，以形成第二阳极处理层，其中该第二阳极处理层中形成有多个孔洞；于上述这些孔洞内形成催化剂层；以及于上述这些孔洞内形成多个纳米碳管。