[发明专利]薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法无效

专利信息
申请号: 200510098484.9 申请日: 2005-09-08
公开(公告)号: CN1929099A 公开(公告)日: 2007-03-14
发明(设计)人: 何明彻;杨芸佩;刘博智;吕佳谦 申请(专利权)人: 中华映管股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/20
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 代理人: 王昕
地址: 台湾省台北*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种薄膜晶体管的制造方法,其包括下列步骤:首先,于基板上形成非晶硅层。接着,于此非晶硅层上形成第一栅绝缘层。之后,进行退火工艺,以使上述非晶硅层熔融后再结晶而成为多晶硅层。然后,图案化此第一栅绝缘层与多晶硅层,以定义出岛状图案。之后,再于此岛状图案上形成栅极。最后,于此岛状图案的多晶硅层中形成源极区与漏极区。在进行退火工艺之后,多晶硅层与栅绝缘层之间的间界致密性将会变得更为紧密,此即有助于减少薄膜晶体管元件在工作时产生的漏电流。
搜索关键词: 薄膜晶体管 低温 多晶 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于包括:于基板上形成非晶硅层;于该非晶硅层上形成第一栅绝缘层;进行退火工艺,以使该非晶硅层熔融后再结晶而成为多晶硅层;图案化该第一栅绝缘层与该多晶硅层,以定义出岛状图案;于该岛状图案上形成栅极;以及于该岛状图案的该多晶硅层中形成源极区与漏极区。
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