[发明专利]纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件制备技术领域。该太阳能电池依次由Al背电极、p型单晶硅、本征纳米晶硅、n型纳米晶硅、透明导电膜和金属栅极构成。本发明的太阳能电池，采用真空热蒸发法制备铝背电极；采用化学气相沉积方法依次生长本征和n掺杂纳米晶硅薄膜形成异质结结构；在异质结结构上采用真空蒸发或溅射法沉积透明导电膜作为前电极；在透明导电膜上采用蒸发技术形成Ag栅极，形成n－nc－Si:H/i－nc－Si:H/c－Si结构的薄膜太阳能电池。采用无织构的CZ单晶硅，电池转化效率17.18％(0.92cm²)。本发明所采用的工艺路线简单，易于实现。

主权项

1、一种纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池，其特征在于该电池依次为金属Al背电极、p型单晶硅、本征纳米晶硅薄膜、n型纳米晶硅薄膜、透明导电膜和Ag栅极；所述的金属Al背电极的厚度为250～300微米；所述的本征纳米晶硅薄膜的厚度为5～10nm；所述的n型掺杂纳米晶硅薄膜的厚度为10～15nm；所述的透明导电薄膜的厚度为80～120nm；所述的Ag栅极的厚度为5～10微米，栅线宽度为30～150微米，间距为2～3mm；所述的p型单晶硅厚度为250～300微米。