[发明专利]AB类放大器无效
申请号: | 200510098559.3 | 申请日: | 2005-09-02 |
公开(公告)号: | CN1925317A | 公开(公告)日: | 2007-03-07 |
发明(设计)人: | 周莉;吴小晔;许萍 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F1/02 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王漪;王继长 |
地址: | 518057广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种移动通信领域中的AB类放大器,包括带有AB类输出级的电压跟随器,和一个辅助放大器,二者并联连接;所述辅助放大器包括N型比较器A101和N型比较器A102,一个偏置电路和一个由PMOS管AMP1和1个NMOS管AMN1构成的输出级,比较器A102的输出端S1与偏置电路的输入端连接;PMOS管AMP1的源极与VDD连接,栅极与比较器A101的输出端S2连接,漏极与NMOS管AMN1的漏极连接;NMOS管AMN1的栅极与偏置电路的输出端S3连接,源极与地连接。采用本发明提出的AB类放大器,不但使放大器具有快速的压摆率,而且降低功耗。 | ||
搜索关键词: | ab 放大器 | ||
【主权项】:
1、一种AB类放大器,包括带有AB类输出级的电压跟随器,其特征在于:还包括一个辅助放大器,所述辅助放大器和带有AB类输出级的电压跟随器并联连接;所述辅助放大器包括N型比较器(A101)和N型比较器(A102),一个偏置电路和一个由PMOS管(AMP1)和1个NMOS管(AMN1)构成的输出级;比较器(A102)的输出端(S1)与偏置电路的输入端连接;PMOS管(AMP1)的源极与VDD连接,栅极与比较器(A101)的输出端(S2)连接,漏极与NMOS管(AMN1)的漏极连接;NMOS管(AMN1)的栅极与偏置电路的输出端(S3)连接,源极与地连接。
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