[发明专利]一种含有多量子阱结构的InGaN系宽谱太阳能电池

摘要

本发明涉及一种含有多量子阱结构的InGaN系宽谱太阳能电池，其包括一衬底，其上依次为过渡层，p型InGaN层，多量子阱结构层，n型InGaN层，所述的多量子阱结构层为两种不同组分的InGaN合金材料组成，其一为具有窄带隙的In_xwGa_1－xwN合金组成的量子阱，其二为宽带隙的In_xbGa_1－xbN合金组成的势垒层。该含有多量子阱结构的InGaN系宽谱太阳能电池使用带隙可调的InGaN合金材料组成的多量子阱结构作为制作太阳能电池的吸收区，可以降低太阳能电池的暗电流，同时可调整迭层电池的有效带隙宽度，使得组成迭层电池的两个电池之间具有最佳配合的带隙宽度，从而实现迭层电池的最大能量转换效率，提高InGaN系宽谱太阳能电池的性能。

主权项

1、一种含有多量子阱结构的InGaN系宽谱太阳能电池，其包括一衬底，其上依次为过渡层，p型InGaN层，多量子阱结构层，n型InGaN层，其特征在于：所述的多量子阱结构层为两种不同组分的InGaN合金材料组成，其一为具有窄带隙的InxwGa1-xwN合金组成的量子阱，其二为宽带隙的InxbGa1-xbN合金组成的势垒层，其中，0≤xw＜1，0≤xb＜1，且xb＜xw。