[发明专利]半导性陶瓷元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510098786.6 | 申请日： | 2005-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1929046A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 苏哲仪;李文熙;林世彬;胡庆利 | 申请（专利权）人： | 国巨股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/12 | 分类号： | H01C7/12;H01C7/00;C04B35/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导性陶瓷元件，其包括：一半导性陶瓷本体及至少一个陶瓷绝缘层，所述陶瓷绝缘层位于所述半导性陶瓷本体的顶面、底面或其内部，所述陶瓷绝缘层的材质不同于所述半导性陶瓷本体，且所述陶瓷绝缘层的电阻率大于106Ω－m。所述半导性陶瓷本体与所述陶瓷绝缘层是一起烧结而成。进而，在后续的电镀制程中，所述陶瓷绝缘层可以保护所述半导性陶瓷本体不被电镀液腐蚀。本发明还关于所述半导性陶瓷元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导性 陶瓷 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导性陶瓷元件，其包括：一半导性陶瓷本体，其具有一顶面和一底面；和至少一陶瓷绝缘层，其位于所述半导性陶瓷本体的顶面、底面或其内部，所述陶瓷绝缘层的材质不同于所述半导性陶瓷本体。
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