[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510098858.7 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1747191A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 藤本明;浅川钢儿;大桥健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种半导体发光器件中，半导体发光部件具有其上形成有多个凸面结构的光提取表面。每个凸面结构具有构成折射指数梯度结构的锥形平台部分、构成衍射光栅结构的圆柱形部分、以及构成折射指数梯度结构的锥形部分。所述平台部分、圆柱形部分和锥形部分按此次序从光提取表面开始设置。凸面结构之间的周期大于发射波长的1/(外部介质的折射指数+凸面结构的折射指数)，且等于或小于发射波长。圆柱形部分的等效圆平均直径为平台部分底部的等效圆平均直径的1/3至9/10。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光器件，包括：半导体发光部件，所述半导体发光部件包括其上形成有多个凸面结构的光提取表面；凸面结构，每个凸面结构包括：锥形平台部分、圆柱形部分和锥形部分，所述平台部分、圆柱形部分和锥形部分按此次序从光提取表面向外设置，凸面结构之间的周期大于发射波长的1/(外部介质的折射指数+凸面结构的折射指数)，且等于或小于发射波长，而圆柱形部分的等效圆平均直径为平台部分底部的等效圆平均直径的1/3至9/10。
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