[发明专利]外延基底和半导体元件有效
| 申请号： | 200510099023.3 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1744326A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 木山诚;冈久拓司;樱田隆 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/38 | 分类号： | H01L29/38;H01L29/417;H01L29/861;H01L29/772;H01L29/732 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在肖特基二极管11中，氮化镓支撑底板13包括第一表面13a和与第一表面相反的第二表面13b，其载流子浓度大于1×1018cm－3。氮化镓外延层15放置在第一表面13a上。欧姆电极17放置在第二表面13b上。肖特基电极19放置在氮化镓外延层15上。氮化镓外延层15的厚度D1至少是5微米，但不大于1000微米。另外，氮化镓外延层15的载流子密度至少是1×1014cm－3，但不大于1×1017cm－3。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 基底 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1、一种外延基底，其包括：氮化镓独立式基底，该基底包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，并且其载流子浓度大于1×1018cm-3；和放置在所述第一表面上的第一氮化镓外延膜；其中：所述第一氮化镓外延膜的厚度至少是5微米，但不大于1000微米；且所述第一氮化镓外延膜的载流子浓度至少是1×1014cm-3，但不大于1×1017cm-3。
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