[发明专利]薄膜电晶体的制造方法及将非晶层转换成复晶层或单晶层的方法有效
| 申请号： | 200510099208.4 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1929101A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 丁进国 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/268 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李树明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜电晶体的制造方法。首先，形成一缓冲层于基板上，并形成一第一单晶层于缓冲层上。其后，形成一非晶层于第一单晶层上，以一激光退火方法，将非晶层转换成一结晶层。该结晶层为一复晶层或第二单晶层；接着，形成一闸极介电层于复晶层上。后续，形成一闸电极于闸极介电层上。本发明的薄膜电晶体适用于液晶显示器。可提升薄膜电晶体元件的电子移动率，并且可以缩短传统使用分子束磊晶沉积单晶硅的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电晶体 制造 方法 将非晶层 转换 成复晶层 单晶层 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电晶体的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：提供一基板；形成一缓冲层于该基板上；形成一第一单晶层于该缓冲层上；形成一非晶层于该单晶层上；以一激光退火方法，将该非晶层转换成一结晶层；形成一闸极介电层于该复晶层上；及形成一闸电极于该闸极介电层上，其中该结晶层是为一第二单晶层或一复晶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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