[发明专利]硅微麦克风的振膜晶片及其制造方法

摘要

本发明是制造背驻极电容式硅微麦克风中感应声能变化的振膜晶片的方法及其产品，首先在基板上以可溶于预定蚀刻液的被溶蚀材料定义出脱离层，再分别依序向上定义出分隔块层及振膜层，接着在振膜层上以导体材料蒸镀出作为晶种的种晶膜，再以高分子材料定义出对应地遮覆振膜层的感应形变区域部分并使种晶膜对应环壁区域部分裸露的牺牲层，然后自环壁区域向上电镀增厚而形成环围牺牲层的撑固层而形成环壁，蚀刻掉牺牲层即制得振膜晶片，最后再以蚀刻液溶蚀脱离层，即可以无切割的制程取得振膜晶片，从而提升整体振膜晶片制造的成品率。

主权项

1.一种硅微麦克风的振膜晶片的制造方法，其特征在于：该制造方法包含(a)以可溶于一蚀刻液的被溶蚀材料在一基板上定义一脱离层；(b)在所述脱离层上以绝缘材料定义一分隔块层，及以绝缘且可对应声能作用而产生形变的材料定义一振膜层；(c)在所述振膜层上以导体材料定义一种晶膜，及以高分子材料定义一牺牲层，所述牺牲层对应地遮覆所述振膜层的一感应形变区域的部分，并使所述种晶膜对应环围该振膜层的感应形变区域的一环围环壁区域的部分裸露；(d)以导体材料自所述种晶膜对应该环壁区域所裸露的区域向上增厚成一环围所述牺牲层的撑固层，所述种晶膜与所述撑固层共同定义成作为电极的环壁；(e)移除所述牺牲层，所述环壁、振膜层与所述分隔块层共同形成一振膜晶片；及(f)以蚀刻液溶蚀所述脱离层而使所述振膜晶片与所述基板相分离，制得振膜晶片。