[发明专利]具有RESURF层的功率用半导体器件无效
| 申请号： | 200510099510.X | 申请日： | 2002-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1767211A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 斋藤涉;大村一郎;山口正一;相田聪;小野升太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，第一漂移层(11)形成在漏极层(10)上，二者同为第一导电类型。第一导电类型的第二漂移层(19，33)和第二导电类型的RESURF层(18)形成在第一漂移层(11)上，在与深度方向正交的方向上周期配置。RESURF层(18)通过包含第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的pn结在第二漂移层(19，33)内形成耗尽层。第一漂移层(11)的杂质浓度与第二漂移层(19，33)的杂质浓度不同。基极层(12)选择地形成在第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的表面内。源极层(13)是第一导电类型，选择地形成在基极层(12)的表面内。形成源极来连接基极层(12)和源极层(13)的表面。栅极(15)经栅极绝缘膜(14)形成在位于源极层(13)和第二漂移层(19)之间的基极层(12)上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 resurf 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的漏极层(10)；设置在上述漏极层(10)上、且杂质浓度低于上述漏极层(10)的第一导电类型的漂移层(11)；设置成从上述漂移层(11)表面到达上述漂移层(11)内的第二导电类型的RESURF层(18)，该RESURF层(18)与上述漂移层(11)一起形成超级结构造，在上述漂移层(11)内形成耗尽层。
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