[发明专利]具有碳纳米管沟道的晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200510099527.5 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1767212A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 朴玩浚;郑炳昊;裵恩珠;汉斯·科西娜;马迪·福尔法思 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有碳纳米管沟道的晶体管和制造其的方法。至少两个栅电极形成于栅极绝缘层上且彼此绝缘，所述栅极绝缘层形成于碳纳米管沟道上。因此，防止了少数载流子流入碳纳米管沟道。因此，可以防止当多数载流子和少数载流子都流入碳纳米管沟道时产生的漏电流。因此，可以防止由于漏电流引起的晶体管特性的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 沟道 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管，包括：衬底；第一绝缘层，形成于所述衬底上；第一和第二金属层，形成于所述第一绝缘层上且彼此分开预定的距离；碳纳米管沟道，形成于所述第一金属层和第二金属层之间的所述第一绝缘层上，所述碳纳米管沟道具有接触所述第一金属层的一侧和接触所述第二金属层的另一侧；第二绝缘层，覆盖所述第一和第二金属层和所述纳米管沟道；以及第一和第二栅电极，形成于所述第二绝缘层上，所述第二绝缘层形成于所述纳米管沟道上，所述第一和第二栅电极彼此电绝缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510099527.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
