[发明专利]刻蚀停止结构及制造方法，以及半导体器件及制造方法无效
| 申请号： | 200510099582.4 | 申请日： | 2005-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1767171A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘永燮;朴栽永;李铉德;任基彬;申元湜;邢庸宇;林宪亨;张源准;南硕祐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 通过在第一结构上淀积金属氧化物材料以及退火该淀积的金属氧化物材料，在第一结构上形成刻蚀停止层。在刻蚀停止层上形成第二结构，以及使用刻蚀停止层作为刻蚀停止，通过第二结构刻蚀形成部分。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 停止 结构 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：通过在第一结构上淀积金属氧化物材料，以及退火该淀积的金属氧化物材料，在第一结构上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第二结构；以及使用刻蚀停止层作为刻蚀停止通过第二结构刻蚀形成部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
