[发明专利]复合晶片结构的制造方法有效
| 申请号： | 200510099630.X | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1925128A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 叶哲良;黄菁仪;徐文庆;何雅兰;许松林;王荣宗 | 申请（专利权）人： | 中美矽晶制品股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造一复合晶片结构的方法。特别地，根据本发明的方法基于断裂力学理论，主动控制在复合晶片结构制造过程中所引发的断裂，进而避免不愿见到的边缘损伤的发生。由此，根据本发明的方法可以提高复合晶片结构在工业量产上的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 晶片 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造一复合晶片结构的方法，包含下列步骤：(a)制备一器件晶片，所述器件晶片具有一第一圆周、一接合表面以及一底表面；(b)在所述器件晶片的接合表面上，沿所述器件晶片的第一圆周形成一沟槽，其中，在所述沟槽与所述器件晶片的第一圆周之间存有一边界；(c)制备一基座晶片，所述基座晶片具有一顶表面；(d)将所述器件晶片的接合表面接合至所述基座晶片的顶表面上；以及(e)研磨并抛光所述器件晶片的底表面，直至所述器件晶片的一初始厚度减薄至一期望厚度，进而完成所述复合晶片结构；其中，在研磨并抛光所述器件晶片的底表面期间，所述边界通过在所述沟槽的一尖端处所引发的裂纹而断裂，并且所述断裂的边界随后被移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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