[发明专利]处理半导体晶片的激光束处理设备、方法及半导体晶片无效
| 申请号： | 200510099670.4 | 申请日： | 2005-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1744284A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 木田刚 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/40;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在处理半导体晶片(SW)的激光束处理设备中，激光束生成器系统(60，68)生成激光束，并且移动系统(12，78，80)相对于激光束相对地移动半导体晶片，从而沿划线用激光束照射半导体晶片，以沿划线从半导体晶片部分地去除多层布线结构。照射控制系统控制沿划线用激光束照射半导体晶片，从而将对准标记保留在划线上。其中半导体晶片(SW)具有在其上形成的多层布线结构(MWS)、在其上定义的划线(FSLm，SSLn)、以及在划线中的任何一条划线上形成的至少一个对准标记(AM)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 半导体 晶片 激光束 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理半导体晶片(SW)的激光束处理设备，该半导体晶片(SW)具有在其上形成的多层布线结构(MWS)、在其上定义的划线(FSLm，SSLn)、以及在所述划线上形成的至少一个对准标记(AM)，该设备包括：激光束生成器系统(60，68)，用于生成激光束；移动系统(12、78、80)，用于相对于所述激光束相对地移动所述半导体晶片，从而沿所述划线用激光束照射所述半导体晶片，以沿所述划线从所述半导体晶片部分地去除所述多层布线结构；以及照射控制系统(步骤1127，1128，1129，1130，1131，1132，1133，1134；步骤1227，1228，1229，1230，1231，1232，1233，1234)，用于控制沿所述划线用激光束照射半导体晶片，从而将所述对准标记保留在所述划线上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
