[发明专利]凸块制程及其结构有效
| 申请号： | 200510099769.4 | 申请日： | 2005-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1929093A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 黄敏龙;陈逸信;陈嘉滨 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司： | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 台湾省高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种凸块制程，包括下列步骤：首先，提供一晶圆；形成一第一光阻层在晶圆的一主动表面上，并形成至少一第一开口在第一光阻层中；以及形成一第一铜柱在第一开口中；接着，形成一第二光阻层在第一光阻层上，并形成至少一第二开口在第二光阻层中，其中第二开口小于第一开口，以使第一铜柱的部分表面显露在第二开口中；以及形成一第二铜柱在第二开口中；最后，形成一焊料层在第二铜柱上；以及去除第一与第二光阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 凸块制程 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种凸块制程，包括下列步骤：提供一晶圆，该晶圆具有多个晶片，每一晶片具有至少一个焊垫，该焊垫位于晶圆的主动表面上；形成一第一光阻层在所述晶圆的主动表面上，并形成至少一第一开口在该第一光阻层中；形成一第一铜柱在所述第一开口中；其特征在于：该凸块制程还包括下列步骤：形成一第二光阻层在所述第一光阻层上，并形成至少一第二开口在该第二光阻层中，该第二开口小于第一开口，使所述第一铜柱的部分表面暴露在该第二开口中；形成一第二铜柱在所述第二开口中；形成一焊料层在所述第二铜柱上；以及去除所述第一与第二光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
