[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中当通过使用覆盖除通孔形成区之外的区域的硬掩模20和覆盖除互连沟槽形成区之外的区域的硬掩模22作为掩模，在绝缘膜16、18中形成通孔26和互连沟槽32时，各向同性地蚀刻硬掩模20以在通孔形成区的外围暴露层间绝缘膜18的上表面，并且除该外围之外保留该互连沟槽形成区中的硬掩模20，然后各向异性地蚀刻硬掩模20和绝缘膜18、16，从而形成在上部具有宽度增加部分34的通孔26，和在宽度增加部分34连接至该通孔26的互连沟槽32。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包含如下步骤：在衬底上按顺序形成绝缘膜、第一掩模、和蚀刻特性不同于该第一掩模的第二掩模；去除通孔形成区中的该第一掩模和该第二掩模；各向异性地向下蚀刻该通孔形成区中的该绝缘膜至其中部；去除包含该通孔形成区的互连沟槽形成区中的该第二掩模；使用该第二掩模作为掩模各向同性地蚀刻该第一掩模，以在该通孔形成区的外围处暴露该绝缘膜的上表面，并且除所述外围之外保留该互连沟槽形成区中的该第一掩模；使用该第二掩模作为掩模各向异性地蚀刻该第一掩模和该绝缘膜，以在该绝缘膜中形成在上部具有宽度增加部分的通孔，和连接至该通孔的宽度增加部分的互连沟槽；以及在该通孔和该互连沟槽中填充互连。