[发明专利]碳纳米管的制备装置无效
| 申请号： | 200510100354.4 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1948139A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 何纪壮 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/00 | 分类号： | C01B31/00;C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管的制备装置，其包括：一反应腔，该反应腔包括一对相对设置的进气口与排气口，其分别位于该反应腔的底部与顶部；一基底承载装置，其位于该反应腔内，用于承载碳纳米管生长用基底；以及一对相对设置的网格电极，该对网格电极位于该反应腔内，且分别设于该基底承载装置的两侧。本发明通过设置一对相对的网格电极，可使碳源气通过，使气流方向与碳纳米管生长方向平行，有利于碳纳米管准直生长；在该对网格电极间施加一电压可在两者之间产生电场，碳纳米管在该电场中生长，其生长方向将取向于该电场方向，从而具有高准直性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管的制备装置，其包括：一反应腔，该反应腔包括一对相对设置的进气口与排气口，该进气口与排气口分别位于该反应腔的底部与顶部；一基底承载装置，其位于该反应腔内，用于承载碳纳米管生长用基底；其特征在于，该碳纳米管的制备装置进一步包括一对相对设置的网格电极，该网格电极位于所述反应腔内，且分别设于该基底承载装置的两侧。
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