[发明专利]碳纳米管制备方法无效
| 申请号： | 200510100771.9 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1955112A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 何纪壮 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管制备方法，其包括步骤：提供一基底，其具有两相对表面；旋涂一磁性流体在该基底的两相对表面以在该两相对表面分别形成一催化剂层；将该两相对表面形成有催化剂层的基底装载于一化学气相沉积反应腔内；向该反应腔内通入碳源气，进行化学气相沉积生长碳纳米管。本发明通过旋涂磁性流体在碳纳米管生长用基底上以形成催化剂层，由于旋涂法的工艺简单，且成本低，其可实现碳纳米管制备的低成本化。另外，在基底的双面均形成催化剂层，可增加碳纳米管生长有效面积以提高产率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管制备方法，包括以下步骤：提供一基底，其具有一第一表面及与该第一表面相对的第二表面；旋涂一磁性流体在该基底的第一表面及第二表面以在该第一表面及第二表面分别形成一催化剂层；将该第一表面及第二表面分别形成有催化剂层的基底装载于一化学气相沉积反应腔内；向该化学气相沉积反应腔内通入碳源气，进行化学气相沉积生长碳纳米管。
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