[发明专利]碳纳米管制备装置及方法有效
| 申请号： | 200510100799.2 | 申请日： | 2005-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1955113A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张庆州;萧博元;何纪壮 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管制备装置，其包括：一反应腔，该反应腔包括一对相对设置的进气口与排气口，其分别设在该反应腔的底部与顶部；一电极，其位于该反应腔内，用于产生一垂直于该电极的电场；以及至少一线圈，用于产生一垂直于该电极的磁场，且该磁场与所述电场的方向一致。本发明还提供一种利用上述装置制备碳纳米管的方法。在碳纳米管制备过程中，在该线圈上施加一电流，可产生一垂直于该电极的磁场；在该电极上施加一直流偏压，可产生一垂直于该电极的电场；在电场力及磁场力的双重引导作用下制备碳纳米管，可实现其高准直性制备。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管制备装置，其包括：一反应腔，该反应腔包括一对相对设置的进气口与排气口，其分别设在该反应腔的底部与顶部；其特征在于，该碳纳米管制备装置还包括一电极，其位于该反应腔内，用于产生一垂直于该电极的电场；以及至少一线圈，其用于产生一垂直于该电极的磁场，且该磁场的方向与所述电场的方向一致。
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