[发明专利]脊形波导式半导体激光器及其制作方法有效
申请号: | 200510100902.3 | 申请日: | 2005-10-29 |
公开(公告)号: | CN1956284A | 公开(公告)日: | 2007-05-02 |
发明(设计)人: | 李络;周耀辉 | 申请(专利权)人: | 深圳飞通光电子技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057广东省深圳市高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种脊形波导式半导体激光器及其制作方法,包括具有脊形波导突起的脊形波导晶片,位于脊形波导突起的两侧自下而上包括:一层二氧化硅钝化膜和一层聚酰亚胺膜,且聚酰亚胺膜的上表面高于脊形波导突起的上表面,P型电极覆盖在所述脊形波导突起的上表面以及位于其两侧的聚酰亚胺膜的上表面并形成欧姆接触,N型电极形成在脊形波导晶片的底部表面。脊形波导突起的两侧被聚酰亚胺膜进行了有效填充,提高了蒸发金属电极的覆盖能力,改善了P型电极的欧姆接触,因而减小了串联电阻,且避免在芯片工艺操作和芯片封装过程中由于脊形波导突起受损导致芯片失效。 | ||
搜索关键词: | 脊形波导 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种脊形波导式半导体激光器,包括具有脊形波导突起(8)的脊形波导晶片(1),其特征在于,位于脊形波导突起(8)的两侧自下而上包括:一层二氧化硅钝化膜(2)和一层聚酰亚胺膜(4),且聚酰亚胺膜(4)的上表面高于脊形波导突起(8)的上表面,P型电极(6)覆盖在所述脊形波导突起(8)的上表面以及位于其两侧的聚酰亚胺膜(4)的上表面并形成欧姆接触,N型电极(6′)形成在脊形波导晶片(1)的底部表面。
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