[发明专利]便携式XeF2蚀刻室及其使用方法

摘要

本发明揭示一种蚀刻室，其经构造以在该室内支撑一MEMS衬底。该蚀刻室经构造以相对容易地移动并附接至一蚀刻站，该蚀刻站包含一蒸气或气态蚀刻剂源、一吹扫气体源及/或一真空源。该便携式蚀刻室可利于进行一种蚀刻其中所容纳的MEMS衬底的工艺。举例而言，可通过如下方式来蚀刻此一蚀刻室中的MEMS衬底：将该室连接至一蚀刻站内并将MEMS衬底暴露至蚀刻剂，以便蚀刻MEMS衬底。衬底可在该便携式蚀刻室内移至或移离蚀刻站。在较佳实施例中，MEMS衬底是干涉式调制器且蚀刻剂是XeF₂。

主权项

1、一种XeF2蚀刻系统，其包括：一蚀刻站，其包括至少一个选自一XeF2蒸气源、一真空源及一吹扫气体源的源；一可密封的容器，其包括一入口，其经构造以附接至所述至少一个源；及一托架，其经构造以在所述可密封的容器移动期间在所述可密封的容器内支撑至少一个MEMS衬底；所述可密封的容器经构造以自所述至少一个源分离并经构造以利于相对于所述至少一个源移动。