[发明专利]磁存储器无效
| 申请号： | 200510102712.5 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1770313A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 古贺启治;江崎城一朗 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/105;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可防止误写入而且可使写入电流变小的磁存储器，磁存储器1所具有的多个存储区域3各个具有：含有磁化方向A因外部磁场而发生变化的第一磁性层41的TMR元件4；通过写入电流向第一磁性层41提供外部磁场的写入配线31；由具有介入空隙且对向的一对端面5a的约环状体制成，以包围写入配线31外围的方式配置的磁轭5；和，控制写入电流的导通的写入晶体管32。而且，TMR元件4以其一对侧面4a分别与磁轭5的一对端面5a对向的方式配置。只要利用该构成，就可有效地将基于写入电流的磁场提供给TMR元件4，所以即使用小的写入电流也可使第一磁性层41的磁化方向A反转。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，其特征在于，具有多个存储区域，所述多个存储区域的各个具有：含有磁化方向因外部磁场而发生变化的感磁层的磁阻效应元件；通过写入电流向所述感磁层提供所述外部磁场的写入配线；以所述写入配线被包围的方式配置，具有开放端部，将所述磁阻效应元件位于所述开放端部间的磁轭；和，控制所述写入配线中所述写入电流的导通的写入开关单元。
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