[发明专利]形成一具有可控制步阶高度的浅沟渠隔离结构的方法

摘要

本发明是有关于一种形成一具有可控制步阶高度的浅沟渠隔离结构的方法，在一基板上形成一相对薄的含氮层藉以生产一可控制步阶高度的浅沟渠隔离结构。此含氮层是由一氮硅薄膜和一氮氧硅薄膜所组成，此两薄膜的总厚度低于900埃，一沟渠开口形成在此含氮层中并进入硅基板，一化学气相沉积法形成一介电层，例如一氧化层，在此沟渠开口中并位于含氮层上，一研磨制程用以部分研磨此介电层藉以降低在含氮层上的介电层厚度，并以一干蚀刻法移除位于含氮层上的介电层，并平均地降低位于沟渠中的介电层顶表面。此方法可避免效应。亦除含氮层以产生一具有小于500埃步阶高度的浅沟渠隔离结构。

主权项

1、一种形成绝缘结构的方法，此绝缘结构位于一半导体元件上，其特征在于该方法至少包括：提供一次结构于一基板上以及一形成在该基板上的含氮层；蚀刻穿越该含氮层并进入该基板以形成一沟渠；形成一介电层在该含氮层上并填充该沟渠；研磨该介电层藉以降低该介电层位于该含氮层上的厚度，并使得该介电层仍保持覆盖该含氮层；使用一蚀刻制程从该含氮层上移除该介电层，并在该沟渠中实质上平均地降低该介电层顶表面，使其低于该含氮层的顶表面；以及移除该含氮层。