[发明专利]薄膜晶体管阵列面板的制造方法

摘要

一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：形成包括栅电极的栅极线，在栅极线上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成半导体带，在半导体带上形成欧姆接触层，在欧姆接触层上形成包括源电极和漏电极的数据线，在数据线和漏电极上沉积钝化层，及形成连接到漏电极的像素电极。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：形成包括栅电极的栅极线；在所述栅极线上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体带；在所述半导体带上形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成包括源电极和漏电极的数据线；在所述数据线和所述漏电极上沉积钝化层；以及形成连接到所述漏电极的像素电极，其中，形成所述数据线、所述漏电极、所述欧姆接触层、以及所述半导体带的步骤包括：在栅极绝缘层上沉积内部硅层、外部硅层、以及导体层；形成包括对应于所述源电极和漏电极之间的沟槽区域的第二部分和对应于在数据线和漏电极上的布线区域的第一部分的光刻胶，其中所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度；使用所述光刻胶作为蚀刻掩模蚀刻对应于除所述布线区域和所述沟槽区域之外的其余区域的所述导体层；去除所述光刻胶的所述第二部分以露出所述沟槽区域上的所述导体层；蚀刻位于所述其余区域上的所述内部硅层和所述外部硅层；蚀刻位于所述沟槽区域上的所述导体层和所述外部硅层；以及去除所述光刻胶的所述第一部分。