[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置无效
| 申请号： | 200510102880.4 | 申请日： | 2005-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1750237A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 齐藤进;清水昭贵 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/76;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在蚀刻处理时，能够将硬质掩模层的膜厚控制在一定厚度的蚀刻方法。通过使用包含例如四氟化碳(CF4)和氩气(Ar)的气体而作为蚀刻气体的等离子体蚀刻，一边监视氮化硅薄膜102的膜厚，一边进行蚀刻处理，以氮化硅薄膜102的膜厚达到规定膜厚时作为终点而结束自然氧化膜103的蚀刻处理。接着，将氮化硅薄膜102作为掩模，使用包含例如氯气(Cl2)、溴化氢(HBr)与氩气(Ar)的气体而作为蚀刻气体，一边监视槽111的深度，一边对硅基板101进行等离子体蚀刻，以槽111的深度达到规定的数值时作为终点。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其特征在于，对具有形成有规定形状的图形的掩模层，形成在构成所述图形的槽部的被蚀刻层，形成在所述掩模层和所述被蚀刻层下面的底层的被处理基板进行蚀刻，一边监视所述掩模层的膜厚，一边对被蚀刻层进行蚀刻，在所述掩模层的膜厚变为规定厚度时终止蚀刻处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
