[发明专利]一种增加电泳沉积电子发射源寿命及附着力的方法

摘要

本发明公开了一种增加电泳沉积电子发射源寿命及附着力的方法，通过阴极结构半成品在碳纳米管电泳溶液中进行一次电泳沉积时，在碳纳米管沉积过程中在碳纳米管表面形成硅氧烷基化合物膜层，在沉积后，将阴极结构取出，利用高温烧结在电子发射源表面形成二氧化硅膜层，由此防止碳纳米管被毒化，以增加碳纳米管寿命，进一步地可增加碳纳米管在电极层的附着效果。

主权项

1.一种增加电泳沉积电子发射源寿命及附着力的方法，该方法包括以下步骤：a)对阴极结构半成品进行电泳沉积，将阴极结构及金属面板与电泳电极相连接，阴极结构与金属面板以平行并保持一定距离的方式放置在电泳槽的电泳溶液中，在其中施加直流脉冲电压以形成电场，进行碳纳米管电泳沉积，由此制作电子发射源，同时在电子发射源表面形成硅氧烷基化合物膜层；b)取出沉积后的阴极结构后，先通过低温焙烤去除阴极结构上的残余的乙醇溶液，此时辅助盐氯化铟与水解的氢氧根离子形成氢氧化铟，并在电子发射源表面形成硅氧烷基化合物膜层，然后再进行烧结过程，将阴极电极上的氢氧化铟氧化为氧化铟粒子，电子发射源表面的硅氧烷基化合物膜层在高温烧结后进一步形成二氧化硅高分子结构，由高分子膜层结构在碳纳米管表面形成保护膜，并提供碳纳米管与阴极电极层间的附着力。