[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510103167.1 | 申请日： | 2005-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1753167A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 任劤爀 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，能够修复、修补、和/或保护光电二极管区的表面，以及改善该图像传感器的特性。该方法包括以下步骤：形成光电二极管区和多个晶体管；将预定离子注入光电二极管区的表面；以及通过氧化在光电二极管区的表面上形成表面氧化膜。从而，可以恢复或修补在不同制造处理期间损坏的光电二极管的表面，减少或最小化光电二极管在随后的处理期间的表面渗漏，以及通过增加在光电二极管上的入射光来改善图像传感器的特性。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤：在半导体衬底中和/或在半导体衬底上形成光电二极管区和多个晶体管；将预定离子注入所述光电二极管区的表面；以及通过氧化在所述光电二极管区的所述表面上形成表面氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
