[发明专利]具有防静电放电冲击保护功能的高亮度发光二极管

摘要

本发明涉及发光二极管，目的在于解决对抗静电冲击能力差的Al₂O₃基片结构的光源——InGaN、GaN系发光二极管芯片所具有的抗静电放电冲击能力弱的问题。在引线框部分通过焊剂粘贴防静电放电冲击保护单元压敏电阻或稳压二极管后，用白色的热硬化树脂TiO₂通过传递模塑法制成表面具有反射面的凹面反射镜，在表面具有反射面的凹面反射镜内部的发光二极管焊盘上通过管心焊接法或引线接合法固定InGaN、GaN系发光二极管芯片，并在表面具有反射面的反射凹面镜内部填充透明环氧树脂后，通过切割、清理焊缝及成型工序形成单个发光二极管器件，制成对静电放电具有较强抵抗能力的高亮度发光二极管。

主权项

1、一种具有防静电放电冲击保护功能的高亮度发光二极管，其组成包括：一对由正极引线(5)和负极引线(4)组成的引线框(1)；位于上述负极引线(4)和正极引线(5)上方、并将发光二极管发射的光向一个方向发射的表面具有反射面的凹面反射镜(91)；在与正、负极引线位于同一平面的表面具有反射面的凹面反射镜(91)内侧插入的防静电放电冲击保护器件；在负极引线部分的焊盘(3)上粘接的GaN、InGaN系发光二极管芯片(10)；给上述正极引线(5)和负极引线(4)以及发光二极管芯片(10)通电的导线(11)；填充到表面具有反射面的凹面反射镜(91)内的透明环氧树脂(15)；其特征是，上述表面具有反射面的凹面反射镜(91)由TiO2系白色热硬化树脂(9)通过传递模塑法制成，在封装之前，沿光发射方向在表面具有反射面的凹面反射镜(91)的镜壁位置上通过焊剂(8)粘接设置一个以上的防静电放电冲击保护器件，在其上方填充TiO2系白色热硬化树脂(9)，最后通过清理焊缝、成型工序制成单个发光二极管器件。