[发明专利]非挥发性记忆胞与其制造方法及非挥发性记忆体制造方法无效
| 申请号： | 200510103412.9 | 申请日： | 2005-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1933126A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 翁孟暄;韩宗廷;陈铭祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种非挥发性记忆胞与其制造方法及非挥发性记忆体制造方法。在该非挥发性记忆胞的制造方法中，先于基底上形成数个堆叠闸极结构，并于堆叠闸极结构的侧边的基底中形成数个掺杂区。然后，于该些堆叠闸极结构的侧壁上形成数个间隙壁。之后，于暴露的部分掺杂区上形成数个导体垫层。由于导体垫层的形成，可以降低记忆胞的掺杂区的阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆 与其 制造 方法 记忆体 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性记忆胞的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底；于该基底上形成多数个堆叠闸极结构，其中各该堆叠闸极结构由该基底依序为一底介电层、一电荷储存层、一顶介电层与一控制闸极层；于该些堆叠闸极结构的侧边的该基底中形成多数个掺杂区；于该些堆叠闸极结构的侧壁上形成多数个间隙壁；以及于裸露的该些掺杂区上形成多数个导体垫层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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