[发明专利]快闪记忆体与其制造方法有效
| 申请号： | 200510103417.1 | 申请日： | 2005-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1933159A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L27/112;H01L21/8239;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种快闪记忆体。此快闪记忆体包括位于基底中的第一源极/汲极区及第二源极/汲极区；位于第一源极/汲极区以及第二源极/汲极区间的基底上，并且邻接于第一源极/汲极区的第一浮置栅极；位于第一源极/汲极区以及第二源极/汲极区间的基底上，并且邻接于第二源极/汲极区的第二浮置栅极；位于第一浮置栅极及第二浮置栅极间的基底中的淡掺杂区；覆盖于第一浮置栅极以及第二浮置栅极上的控制栅极。其中第一浮置栅极与第二浮置栅极隔离。此快闪记忆体可以增加记忆密度并降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种快闪记忆体，适用于一基底，该快闪记忆体包括：一第一源极/汲极区及一第二源极/汲极区，位在该基底中；一第一浮置栅极，位在该第一源极/汲极区以及该第二源极/汲极区间的该基底上，且该第一浮置栅极邻接在该第一源极/汲极区；一第二浮置栅极，位在该第一源极/汲极区以及该第二源极/汲极区间的该基底上，且该第二浮置栅极邻接在该第二源极/汲极区；一淡掺杂区，位在该第一浮置栅极及该第二浮置栅极间的该基底中；以及一控制栅极，覆盖在该第一浮置栅极及该第二浮置栅极上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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