[发明专利]标准单元、半导体集成电路和标准单元的布局生成方法无效
| 申请号： | 200510103450.4 | 申请日： | 2005-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1750012A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 高田敦志 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种标准单元、半导体集成电路和标准单元的布局生成方法。对在自动配置布线中使用的标准单元，在标准单元的内部而不是外部形成为了抑制供给电源电位的电源布线的IR－Drop而形成的电源电容，并防止面积的增大。在由P沟道晶体管区域(102)和N沟道晶体管区域(103)构成的标准单元(101)中，在与P沟道晶体管区域(102)的P沟道功能晶体管形成区域(104)相对且除N沟道晶体管区域(103)内的N沟道功能晶体管形成区域(105)以外的间隙区域内，形成电源电容形成区域(106)，并将布线电阻(114)削减为布线电阻(115)。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 单元 半导体 集成电路 布局 生成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种标准单元，在基于自动配置布线的LSI设计中使用，并具有P沟道晶体管区域和N沟道晶体管区域，该标准单元的特征在于：上述P沟道晶体管区域具有形成P沟道功能晶体管的P沟道功能晶体管形成区域，上述N沟道晶体管区域具有形成N沟道功能晶体管的N沟道功能晶体管形成区域；在与上述P沟道功能晶体管形成区域相对、且位于上述N沟道晶体管区域内的上述N沟道功能晶体管形成区域以外的区域，和与上述N沟道功能晶体管形成区域相对、且位于上述P沟道晶体管区域内的上述P沟道功能晶体管形成区域以外的区域的至少一个区域内形成电源电容元件。
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